窒化ケイ素セラミック基板は、高強度、高い靭性、そして卓越した熱伝導率(130W/(m-k))など多くの利点を誇ります。さらに、その熱膨張係数はSi、SiC、GaN半導体とほぼ一致しています。そのため、窒化シリコンセラミック基板は高出力モジュールのパッケージングに理想的な選択肢であり、最も適したセラミック基板として広く認識されています。

当社は直接窒化処理を用いて高純度のシリコン粉末を製造しています。独自の特許技術により、シリコン材料、窒化処理、精製プロセスを制御し、高純度、高いA相、狭い粒子分布、卓越した焼結活性を持つCF-HJ窒化ケイ素粉末を製造しています。このタイプの窒化ケイ素粉末は外国の独占を事実上終わらせ、同品質の輸入窒化ケイ素粉末の完全な代替品として機能します。